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关于ADS中的拐角模型~
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最近仿微带线直角拐角,以前一直以为Msabnd和Msobnd这俩模型没区别,以为把M设成0.5,角度设为90°,Msabnd就和Msobnd模型是一样的了,可是实际一仿真,发现二者仿真结果有差别。
参考help文件看了看,也没看出个所以然来。
不知道这俩模型究竟有何区别?
大家谁还碰到过这个困惑可以来讨论下哈O(∩_∩)O~
参考help文件看了看,也没看出个所以然来。
不知道这俩模型究竟有何区别?
大家谁还碰到过这个困惑可以来讨论下哈O(∩_∩)O~
网友回复:
每个器件都有自己使用的模型和公式,自然有其适用范围,第一种侧重于任意角度的转角,后一种是直角。
至于‘Msobnd这个模型是不是某个固定M值时的Msabnd’只能问安捷伦了。
网友回复:
Microwave office 的帮助文档可能更清晰一点,有的给出了模型的出处。
基本上这些模型都是来源于经验公式,有其适用范围。
要想准确仿真,只能用3D的电磁仿真了。
网友回复:
哦,回头俺再仔细研究研究O(∩_∩)O~
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业帮助,请学习易迪拓培训专家讲授的ADS视频培训课程。
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