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ADS2012 包含以下最新的增强功能
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主要特性与技术指标 先进设计系统(ADS)2012 包含以下最新的增强功能:
描述 安捷伦先进设计系统(ADS)2012 具备新的功能,可改善所支持应用的工作效率,并为 GaAs、GaN 和硅质射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。技术突破和创新针对射频功率放大器设计的技术突破和创新包括:
- 针对射频功率放大器设计的技术突破和创新 —— 包括多芯片模块电磁场 FEM 仿真、为新的 Agilent NeuroFET 模型提供支持、新型电热仿真器、ADS 负载牵引和放大器设计指南的多项更新。
- 可用性改进 —— 包括轻松共享工作区(归档/解档)、停靠窗口、高效的搜索和导航功能、三维电磁场元器件集成。
- 提高与 EMPro 的整合程度 —— EMPro 2012 包括与 ADS 2012 的进一步整合,以及对仿真器的多项增强,以便改善产品性能和加快产品开发。
描述 安捷伦先进设计系统(ADS)2012 具备新的功能,可改善所支持应用的工作效率,并为 GaAs、GaN 和硅质射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。技术突破和创新针对射频功率放大器设计的技术突破和创新包括:
- 多芯片模块有限元方法(FEM)电磁场仿真可以分析 IC 和互连之间的电磁场交互,典型多芯片功率放大器模块中的导线焊接和倒装芯片焊接凸点。
- 针对新型人造神经网络的 Agilent NeuroFET 模型(通过 Agilent EEsof IC-CAP 器件建模软件提取)提供模型支持,获得更精确的 FET 建模和仿真结果(例如大功率 GaN FET 放大器)。
- 提高与 Electromagnetic Professional(EMPro)软件的整合程度。EMPro 中的三维电磁元器件现在可以另存为数据库单元,直接在 ADS 中使用。
- 新型 ADS 电热仿真器。它以整合到 ADS 的全三维热求解程序为基础,结合了动态温度效应,以提高“热感知”电路仿真结果的精度。
- ADS 负载牵引设计指南增添了多项更新,包括失配仿真,用于表示器件或放大器对负载 VSWR 或相位角的灵敏度。
- 放大器设计指南增添了多项更新,可轻松查看在特定输出功率或增益压缩上的放大器性能。
- 停靠窗口和选项卡式窗口以及对话框
- 元器件搜索——快速查找设计层中的对象
- 网络领航员——确认节点连通性
- 灵活的归档和解档——实现工作区的资源共享
- 增添了数十种原理图和版图用户界面改进
- 支持第三方设计管理/版本控制工具(Cliosoft)
- 创建多层互连——复制和扩大简单与复杂的结构
- 把元器件锁定在固定位置
- 标尺和尺寸线的改进
- ADS 台式 LVS 的改进
- 版图命令行编辑器——启用 cookie 剪切器,能够移除版图中的全部导线
- 更快的线性速度——自动启用线性控制器中的线性网络人字板(Linear Network Collapser)
- 改善聚合/扫描特性——如果遇到聚合问题,忽视并继续操作
- 并行计算——更快速的瞬态 GPU、仿真管理器使用瞬态/聚合 8 个一组许可证对并行仿真器进行设置和控制
- 与 ADS 进一步整合—— 通用数据库允许您将三维元器件内置 EMPro 直接放置到 ADS 原理图和版图中。EMPro 与 ADS 共享数据库,为两者的更紧密整合奠定了基础。EMPro 中的三维对象可以另存为 ADS 设计数据库中的“元件(cell)”,直接在 ADS 中使用。例如在 EMPro 中创建的 3-D SMA 连接器元件,其“元件视图”现在可以直接放置到 ADS 原理图中进行电路/电磁协同仿真,或放置到 ADS 版图(例如用于射频印刷电路板)中,在 ADS 中进行全面的三维电磁仿真。直接集成可优化设计流程,使电路设计人员能够更早地使用全面的三维电磁场建模能力。只有 ADS 2012 才能提供三维电磁场分析和射频/高速产品设计之间的这种互操作性。
- 全新低频分析算法——改善 <100 MHz 的仿真精度(包括直流 DC)。高频电路仿真需要在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果。EMPro 2012 还将在电磁仿真技术方面引入多项改进。全新低频分析算法可改善有限元法仿真在 100 MHz 以下(包括直流)的仿真精度。以前的 FEM 求解程序很难在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果,无法满足后续的电路仿真甚至更高频率应用的需求。
- FEM 网格技术使速度提升 50%——安捷伦还提供增强的 EMPro FEM 网格技术,以便提高速度(通常加快 50%)和稳定性。
网友回复:
官方还没放到官网上吧
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业帮助,请学习易迪拓培训专家讲授的ADS视频培训课程。
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