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请教一个混频器仿真的问题

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如图1所示是一个我在别处找到二次谐波混频器例子，我用HFSS仿真完整体模型后导出S5P文件，然后接入二极管对的specie模型和射频本振激励，对本振信号进行谐波仿真，然后分别测各个点的数值。

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如图2所示，V_RF_diode应该代表的是二极管输入的射频信号，V_LO_diode应该代表的是二极管的输入本振信号，但是这里公式来看都是从二极管电压而来，区别仅仅在于公式了的(1,0)，中频信号则是(-1,2),而P_IF则又变成了（2，-1），help里这一块写的也很笼统，有大神知道这几个数组代表什么意思吗?

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