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ADS Mom仿真中基片厚度设置问题
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对CMOS基片建模,我选择thick conductor,其中选择up expansion,根据help文档中的示意图(如图所示),那么金属的厚度其余部分会填充与上层dielectric相同的介质参数,那么问题是其余没有是使用的金属层是否也会被自动填充与金属层相同厚度的die了呢?具体举个例子,比如;CMOS有6层金属,我在仿真中仅使用了M6层,在基片中也对其他金属层做了设置,以M3层为例,比如M3-M4层的die厚度为1um,M3层的金属厚度为0.3um,那么我设置die的厚度是按照0.7um设置还是1um设置。
在help文档中我看到了下面的一个note:Extra internal metallization layers are automatically added in Momentum to model the currents on all four sides of the finite thickness conductor.不是很懂,请大家看看,谢谢了先。
在help文档中我看到了下面的一个note:Extra internal metallization layers are automatically added in Momentum to model the currents on all four sides of the finite thickness conductor.不是很懂,请大家看看,谢谢了先。
介质层是多厚就填多厚,跟带线厚度无关
另外:CMOS的层比较多,材料比较复杂,我做的Momentum和实际流出来差很多
尤其在使用多层金属线的时候
.55
.55
如果fab厂商提供衬底参数文件就简单了,直接在momentum里读入即可。
谢谢,我现在设计CMOS PA,对于一些电磁仿真的准确性还是不不太了解,能与您交流一下吗?可以站内联系,谢谢指教。
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业帮助,请学习易迪拓培训专家讲授的ADS视频培训课程。
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