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二极管器件如何建模仿真S参数

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最近采用HSMP3822做3倍频，从100M倍频成为300MHz信号
现在没有直接的 S参数文件，需要自己建模仿真。
结构如图
是不是采用ads中的Diode_Model模型 建立2个二极管模型？
可这两个模型怎么对接呢？糊涂了 3个端口 中间一个接地的
另外建立二极管Diode_Model模型中，除了Cj0、Is、N、TT、RS需要用到哪几个呢？
avago的网页上这样写的
HSMP-382x Limited APLAC ModelD1uses the standard SPICE diode model, and is described by Is, N, and TT.Rs in the standard model is replaced by the external network of Rmin,Rmax, and Rvar. The parameters are for a single diode (HSMP-3800).Parameters also apply to the individual diodes within multiple diodeconfigurations.
Parameter     unit     description     value
Rmax     ohm     maximum r.f. resistance     5000
Rmin     ohm     minimum r.f. resistance     0.35
K     __     resistance curve fitting exponent     0.767
A     __     resistance curve fitting exponent     0.00825
L     nH     connection inductance     2
C     pF     diode capacitiance at r.f. frequency     0.8
Is     A     diode saturation current     1.15E-11
N     __     diode ideality factor     1.641
TT     nsec     transit time (carrier lifetime)     70

网友回复:

很有用的呢

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业帮助，请学习易迪拓培训专家讲授的ADS视频培训课程。

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