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阈值电压与Vknee电压的关系
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我看模电书中说mosfet的IV特性曲线可以看出，当VDS<=VGS-Vth时，是处在可变电阻去，当VDS<=VGS-Vth时，处在饱和区，而在《cmos射频集成电路》中，提到一个Vknee电压，其定义是指最大漏端电流的百分之九十五处的VDS的数值。我想知道VDS=VGS-Vth时的VDS与Vknee电压的关系和区别。还有模电书上也提及到的阈值电压VTH，我怎么判断它的值呢，当漏端电流IDS为多少数量级时，我才可以判断此时的栅源电压为VTH。我感觉这些小概念太含糊了，没有一个确定的概念。望高手指点！谢谢
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