做E类功放仿真遇到难题

如看不清电路图，请双击就可以了

楼主的波形貌似已经经过输出低通滤波所以输出的是sin波。建议楼主把MOS管D极的电压波形也贴出来，如果你的设计准确该波形应该是类似半sin波(也就是CLASS E 的典型波形)。最好把PAE的结果也贴出来，如果PAE峰值很好(>70%)那么设计基本是正确的。还有请问楼主用的是那个MOS管？

我用的不是MOSFET管子，是SiC的MESFET CRF24060，不过应该差不多的。PAE峰值为87.995%，但那是用PAE控件得到的值，用方程得到的正好是它的相反数，请问这是什么原因啊？
漏端电压和电流波形如图所示

 

图片上传不成功，再试试





 

再试试看，发个图真难啊





 

你看vout当然是正玄波了 因为过了 matching 之后 只有 first HB 附近的信号留下了。而你做的又是1 tone 所以时正选波。 要看传说中的class E 波形，你要看 Vd 和 Id

 

什么叫相反数？它的负值？用的公式是什么？PAE的峰值不错，是否已计入了外围电路的耗损等？
漏端电压&电流能不能贴出来让大家看看呀   ，PAE也是。
图的大小最好不要超过50k,否则好像贴不出来。


 

这是PAE和Vd、Id图，请各位大虾帮忙看下，我觉得问题出在DCdissip上，
我的DCdissip方程是DCdissip=real(Icc.i[0]*Vcc[0])
请问有问题吗？







 

Vd和Id又大了，分开发吧







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