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做E类功放仿真遇到难题

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我在做E类功放仿真时,仿真出来的输出电压波形根本不属于E类,请各位大侠帮忙看看是什么问题,电路图和仿真波形图见附件。多谢!



 

如看不清电路图,请双击就可以了

 

楼主的波形貌似已经经过输出低通滤波所以输出的是sin波。建议楼主把MOS管D极的电压波形也贴出来,如果你的设计准确该波形应该是类似半sin波(也就是CLASS E 的典型波形)。最好把PAE的结果也贴出来,如果PAE峰值很好(>70%)那么设计基本是正确的。还有请问楼主用的是那个MOS管?

 

我用的不是MOSFET管子,是SiC的MESFET CRF24060,不过应该差不多的。PAE峰值为87.995%,但那是用PAE控件得到的值,用方程得到的正好是它的相反数,请问这是什么原因啊?
漏端电压和电流波形如图所示



     

    图片上传不成功,再试试



       

      再试试看,发个图真难啊



         

        你看vout当然是正玄波了 因为过了 matching 之后 只有 first HB 附近的信号留下了。而你做的又是1 tone 所以时正选波。 要看传说中的class E 波形,你要看 Vd 和 Id

         

        什么叫相反数?它的负值?用的公式是什么?PAE的峰值不错,是否已计入了外围电路的耗损等?
        漏端电压&电流能不能贴出来让大家看看呀   ,PAE也是。
        图的大小最好不要超过50k,否则好像贴不出来。

         

        这是PAE和Vd、Id图,请各位大虾帮忙看下,我觉得问题出在DCdissip上,
        我的DCdissip方程是DCdissip=real(Icc.i[0]*Vcc[0])
        请问有问题吗?





           

          Vd和Id又大了,分开发吧





            申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业帮助,请学习易迪拓培训专家讲授的ADS视频培训课程

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