金属封闭箱体的屏蔽效能仿真

有一全封闭的箱子(100*100*100) [mm], 表面涂上5um的铜箔
有一干扰源在距离箱体500mm处, 欲计算箱体的屏蔽效能(SE). 
频率为: 0.001~12.5 GHZ (使用CST2014仿真)

　

二. 重点步骤: 

1. 建模及材料设置

1.1 用无厚度的sheet将六个墙面建构起来 (略)
1.2 将墙面材料设置为新材料 (New Material), Type 选择 Thin Panel,
* 这里选择用 Thin Panel 而不用 Ohmic sheet 是因为我们要用 TLM solver 求解, (详见CST HELP文檔) 

1.3 点选 Layer 后会出现如下窗口

图片:圖片2.jpg

 
1.3.1 在Thickness设定厚度 (此例即为 0.005 [mm])
1.3.2 点选 [New Material],
    * 这里不用 [Load fromMaterial Library...] 是因为 Thin Panel 不支持金属导体材料, 所以我们必须自建一个金属导体材料.
1.4 点选 [New Material]后出现如下窗口, 在Conductivity签页中设定导电率 (此例设为5.8e+7 (铜))

1.5 建立一个空气盒子, 并在边缘面设置平面激励源, 如下图 ：

1.6 在封闭箱的中心设置探针.

2. 仿真设定
2.1 频率: 0.001 ~ 12.5 GHz, 边界条件: 全为open, 求解器选为 TLM Solver   
2.2 在Schematic 签页下的 Navigation Tree中设定如下图的Simulation Project   
* 一个是有屏蔽的(敷铜), 另一个是没有屏蔽的(设为空气), 然后再用后处理, 算出SE.   

图片:圖片5.jpg

 
  
三. 仿真结果:     

SE_E: 电场屏蔽效能;  SE_H: 磁场屏蔽效能;   
　

继上一帖, 如果要考虑得更完整 -> 把空气盒子加大, 考虑平面波对整个箱体的影响. [1]:5BVVa0oR 
仿真步骤及参数继上一帖, 只是把空气盒子加大, 让其各方向有多50mm的空间. [1]:5BVVa0oR 
[1]:5BVVa0oR 
其结果如下图: [1]:5BVVa0oR 

1. SE_E 的比较 (在对数坐标之下) [1]:5BVVa0oR 

2. SE_H 的比较 (在对数坐标之下) [1]:5BVVa0oR 

3. 增加空间后的电场分布图 (在1GHZ时) [1]:5BVVa0oR 

4. 增加空间后的磁场分布图 (在1GHZ时) [1]:5BVVa0oR 

结论:
仿真要怎么仿, 取决于问题所要观察的现象, [1]:5BVVa0oR 在此仅举出一个案例, 供大家参考.

本案例模型下载：

http://bbs.rfeda.cn/read.php tid=96690&toread=1&page=1