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XFDTD能否计算半导体器件对电磁脉冲的瞬态或者稳态响应
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读了FDTD文章，直到FDTD方法可以计算半导体器件对电磁脉冲的瞬态或者稳态响应。那么不知道XFDTD能否有这个功能?可能够呛，光参杂浓度就不知道怎么设置?
EMP的瞬态和稳态相应计算肯定是没有问题的，参杂浓度这个我就不是很懂了，有什么影响，影响哪些参数和性能啊?
我的意思是，XFDTD能否建立比较准确地半导体模型，比方说建立一个PN(pnn+)结模型吧：在115um的n+基底硅材料上参杂1.0e+025立方米的施主杂质，在其表面生成15.0um厚的n型外延层（参杂受主浓度为3.0e+021立方米）。请问这n型和P型材料怎么建模?半导体器件满足八个方程：电子连续方程、空穴连续方程、总电流密度方程、电场方程、电位possion方程、热流方程、电子迁移率方程、空穴迁移率方程，这些怎么建模?
