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基于半导体光放大器的一阶IIR微波光子学滤波器及其品质因素分析
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内容简介：对基于半导体光放大器(SOA)环形腔结构的一阶无限冲击响应(IIR)微波光子学滤波器的品质因数(Q值)进行了实验和理论研究. 通过在有源环内置入窄带光滤波器,并调节有源环的输入光功率、SOA抽运电流、实验得到的最高Q值接近200. 理论分析表明为了得到较高的Q值,应尽可能提高信噪比和信号光的环路增益. 在考虑了 SOA中放大的自发辐射(ASE)噪声的基础上,计算了输入光功率、SOA抽运电流、环内光滤波器的带宽对Q值的影响. 数值计算的结果与实验现象基本符合.
作者：周俐娜, 张新亮, 徐恩明, 黄德修,
关键词：微波光子学滤波器, Q值, 半导体光放大器, 放大的自发辐射
作者：周俐娜, 张新亮, 徐恩明, 黄德修,
关键词：微波光子学滤波器, Q值, 半导体光放大器, 放大的自发辐射
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