请问有关功分器问题
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大侠们好,我现在正做一8G的功分器:
ads仿真结果如下:
制版图
加电阻仿真结果:
经cst测试结果:
不加电阻
加电阻后
各个仿真结果都能够满足设计的需要。但是做成品后测试的结果就大不相同 。测试的S23结果倒是比较理想,可以达到-20dB。但是s12差的太远,而且在8G附近出现了大幅度波动。请各位大侠帮忙解释一下,为什么会出现大幅度波动呢?
由于我之前没有制过版,所以铺铜过程中出现了两分支尺寸存在微小差别,也造成与仿真得的尺寸稍有不同。这会是结果不理想的原因吗?先谢谢大侠们啦!
基板介电常数为 3.5,基板厚度0.508mm,铺铜厚0.018mm
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制版图
加电阻仿真结果:
经cst测试结果:
不加电阻
加电阻后
各个仿真结果都能够满足设计的需要。但是做成品后测试的结果就大不相同 。测试的S23结果倒是比较理想,可以达到-20dB。但是s12差的太远,而且在8G附近出现了大幅度波动。请各位大侠帮忙解释一下,为什么会出现大幅度波动呢?
由于我之前没有制过版,所以铺铜过程中出现了两分支尺寸存在微小差别,也造成与仿真得的尺寸稍有不同。这会是结果不理想的原因吗?先谢谢大侠们啦!
基板介电常数为 3.5,基板厚度0.508mm,铺铜厚0.018mm
楼主用的是什么材料的基片?介电常数多少啊?
基板介电常数为3.5,基板厚度0.508mm,铺铜厚0.018mm
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