飞思卡尔WiMAX基站射频功率晶体管

       飞思卡尔半导体公司成功取得了在3. 5 GHz 频段运行的符合WiMAX 基站所需的射频功率放大器。这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 技术获得重大突破。

       通过提供采用射频LDMOS 和GaAsPHEMT 技术的功率晶体管,飞思卡尔的射频解决方案能够真正支持任何高功率无线基础设施应用,其中LD MOS 的性能高达3. 8 GHz ,而GaAs PHEMT 的性能则高达6 GHz。WiMAX 系统采用64 正交调幅(QAM) 正交频分复用(OFDM) 信号。QAM OFDM 信号处理向功率放大器的设计人员提出了挑战,回退中的射频功率晶体管线性度至关重要。
 
       飞思卡尔的高级3. 5 GHz HV7 LDMOS器件提供了WiMAX 系统所需的高效、线性和EVM 性能,为设计者提供了在合成半导体和硅LDMOS 之间进行选择的机会。首批3. 5 GHz LDMOS 器件的样品现已问世。MRF7S 38075H 是75 瓦PldB 射频晶体管,平均功率为42 dBm(16 W) ,满足在35 GHz 频段运行的WiMAx 设备的性能要求。

      此外,40 W 和10 W 的PldB3. 5 GHz 器件已于2006 年2 月面市。