带隙基准中的PTAT电流应该选择多大

小弟新人，不知道带隙基准的PTAT电流应该选择多大合适，多数论文里的整个带隙总功耗都不超过100uw，感觉PTAT电流可以非常低，但是仿了几个ADC中的带隙（已流片测试），发现PTAT电流有50u左右（3.3v的电压），功耗在几个毫瓦，不理解为什么要用这么大的电流，是不是考虑到成品率之类的问题，再就是，小的PTAT电流在设计和流片时会遇到什么问题吗?

BJT電流太小的時候好像會有一個什麼效應,
我忘記了,不知道哪位大哥可以解說一下,
總之印象中,不能小到太小

2楼说的什么效应我不清楚，还望大虾指教。不过我觉得电流直接和noise相关，太小，输出电流或电压noise太大，下一个block肯定要complain的嘛。另外记得老工程师跟我说，他是通过characterize bipolar决定电流的，选取bipolar刚进入saturation区域的电流。

电流在一定范围内时，其电压对温度的导数近似为一固定值，超出这个范围就不满足这个关系了。

这个不是很明白

同样希望有经验人士给予解答

    为什么

电流不能过小，流过三极管电流过小，这样三极管不能正常工作，得到PTAT电流也是不可能的，在实际设计中可能会使电流相对大一点，保证整个电路正常工作！

呵呵，不为什么，diode和BJT的特性就是如此。每种特性都有它的工作范围，在一定工作范围内可近似成某种线性关系，也只是近似而已，超出范围，当然就不满足了。

其电压对温度的导数近似为一固定值

一般觉得一臂的电路差不多10u~20u左右
我觉得太小的话，电阻阻值偏大，匹配起来面积不好控制
另外感觉MOSFET电流太小的话，也不好设置匹配的说。
不过还是要看应用，如果追求低压低功耗的应用的话，也会逼着用小电流的
看sansen书上面基准那张，好像有的低压电路的bandgap的Vbe偏置在0.5V左右的呢
但是的确看到不少的电路的PTAT的电流比较大
很多类似的东西也在困惑我
常常看到有的电路的某些指标很奇怪，但是就是不知道原因
自己在design的时候，也常常为了怎么定spec而头痛

好东西，多谢LZ了

1~10uA　比较常见
低到１００ｎＡ的，我也做过

电流太小 BJT性能会变很差的

电流太小了 电阻就会太大 而且漏电流会影响精度
电流大功耗高 但此时带宽大 有助于PSR性能

眼瞅着banda的那篇经典JSSC paper就用了2.2uA，慨叹啊……

旁观一下，学习一下

学习学习，感谢感谢

综合考虑的结果，ADC的稳定性要求比较高，50uA正常。

拿个三极管加电压测电流，电流与电压呈指数关系，电流太小或者太大都会偏离这个指数规律，找到指数规律的区间就是三极管的工作区间。前提是model够准

请问如何查看BJT的工作区?做DC仿真的BJT都是工作在1(线性区)的<BTW: BJT的0 1 2 3跟MOS代表的工作区相同么?>

这个取值还得仿真双极型晶体管的I-V特性，你主要用的是Vbe电压，发射极电流达到多少后，Vbe才开始由急速上升到达平缓！这个电流稍微给大点一点，留下一定裕度

求解答

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