关于带隙基准温度曲线的开口问题
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我的毕业设计是一个带隙基准，我在做一阶带隙基准的时候最终得出的电压温度曲线是向上开口的，而大部分文献是向下开口，输出Vref与文献中大致相同，基准的核心电路图如下
电路图采用的是经典的PTAT与Vbe相叠加的方案，仿真软件是cadence，模型是smic 0.18um的5V工艺
请问这样的结果是否合理，不合理的话这一曲线可能是怎样的原因造成的呢?
电路图采用的是经典的PTAT与Vbe相叠加的方案，仿真软件是cadence，模型是smic 0.18um的5V工艺请问这样的结果是否合理，不合理的话这一曲线可能是怎样的原因造成的呢?
合理吧，VBE随温度的变化是非线性下降的，这个下降如果随温度增加逐渐增加，即负温度系数变大，那么就是开口向下，反过来，就是开口向上了。
我觉得向下向上都是正常的啊
这个跟VBE温度曲线的导数相关，向上向下都不必纠结
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