cmos 射频电路的偏置问题

在看一些cmos射频的一些文章时，基本上都是直接把原理给介绍下，然后给出结果和各个器件的参数值。基本上把偏置电路什么的都给省略了。所以我想问下：
1：射频电压偏置电路一般都怎么设计?我一般要么是电流镜偏置，要么二极管分压，有时也用电阻分压结构，不知道大婶们都怎么设计的?另，我感觉以上这些也只是给个大概的值，不是特别精确。
2：电流偏置问题，有时会有电流偏置，一个电流源再加个电流镜结构，把电流复制过去。我在想什么时候用电流源偏置呢?你看电压偏置很容易理解，栅极必须要栅极电压，所以要电压偏置，但电流偏置呢，为了提供一个恒流源吗，还是当比如一个Nmos管子栅极电压已经确定了，现在我想得到想要的跨导或者什么之类的，我在他的源极加个电流源，你看电流源电流恒定，但电压可以变，也就是上面的那个Nmos管的源极电压可以变动，所以即使上面的的那个管子的栅极确定了，我也可以得到想要的栅源电压。我是这样理解的。另，我还想问下，你的这个恒流源是用带隙基准做的吗，还是说仍然用上面电压偏置类似的结构，做的。?

1. 個人覺得 diode分壓比較好 比較會隨著製程跑
2. 上面那個NMOS 不一定會操作在saturation
2.1我覺得都可以 看你要甚麼樣的電流源 要很準可能要用bandgap做

放大器的尾电流源不就是恒流源吗?另外根本上的偏置信号不都是带隙基准来的吗?

射频电路的偏置基本原理和低频电路的偏置没有不同。

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