关于gds的问题
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我使用的是IBM 45nm SOI ＣＭＯＳ工艺，在仿真时遇到了一个问题。
关于ｇｄｓ的定义，应该是Id与Ｖｄｓ的偏导吧。 使用工艺库中ｆｌｏａｔｉｎｇ ｂｏｄｙ的器件，在某个工作条件下（ｖｇｓ=400mV,vds=500mV）,从hspice和ｃａｄｅｎｃｅ里读取的ｇｄｓ大约为１００ｕ，但是对Ｉｄ～Ｖｄｓ曲线求斜率，间接算出这个工作点的ｇｄｓ＝１７０ｕ，差了很多。ｇｍ的话这两个结果是几乎一样的。如果使用ｂｏｄｙ contacted器件，这样计算的结果还是和仿真的很吻合的，所以我觉得可能是ｆｌｏａｔｉｎｇ ｂｏｄｙ这个特性导致的曲线求斜率的结果不等于仿真的结果。但是为什么会是这样呢? 谢谢大家！
关于ｇｄｓ的定义，应该是Id与Ｖｄｓ的偏导吧。 使用工艺库中ｆｌｏａｔｉｎｇ ｂｏｄｙ的器件，在某个工作条件下（ｖｇｓ=400mV,vds=500mV）,从hspice和ｃａｄｅｎｃｅ里读取的ｇｄｓ大约为１００ｕ，但是对Ｉｄ～Ｖｄｓ曲线求斜率，间接算出这个工作点的ｇｄｓ＝１７０ｕ，差了很多。ｇｍ的话这两个结果是几乎一样的。如果使用ｂｏｄｙ contacted器件，这样计算的结果还是和仿真的很吻合的，所以我觉得可能是ｆｌｏａｔｉｎｇ ｂｏｄｙ这个特性导致的曲线求斜率的结果不等于仿真的结果。但是为什么会是这样呢? 谢谢大家！
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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