关于hspice库文件里mos管模型的问题
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问一个非常非常菜鸟的问题
hspice库文件，mos管模型里面的参数，是对于所有level都适用的么?
就是说，最开始在用手工分析计算的时候，各种参数应该取何值?
比如，如果采用 level=1 的公式进行手工分析，那么是不是应该使用与之相应的参数进行计算啊?
那么是不是，对于每一个库，都应该提供不同level的参数呢?
还是也可以使用 level=49 等等更高的进行手工计算呢?
谢谢各位了！小弟对于这个问题很迷茫~
hspice库文件，mos管模型里面的参数，是对于所有level都适用的么?
就是说，最开始在用手工分析计算的时候，各种参数应该取何值?
比如，如果采用 level=1 的公式进行手工分析，那么是不是应该使用与之相应的参数进行计算啊?
那么是不是，对于每一个库，都应该提供不同level的参数呢?
还是也可以使用 level=49 等等更高的进行手工计算呢?
谢谢各位了！小弟对于这个问题很迷茫~
如果你的设计基于亚微米工艺，采用level 3以前的模型进行计算和仿真结果会有很大出入，必须采用高级模型。
当前主要工艺都采用level 49 (bsim3)模型，手工运算极不精确，必须借助于软件。
恩谢谢！
因为我们做实验，要求在仿真前先进行手工计算的
那在手工计算时也用level 49 这些参数么?
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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