模拟电路的问题

第一个问题论坛上有过比较详细的讨论，可以取查看以前的帖子
我自己认为：管子进入饱和区的临界条件是栅漏电压是否大于他们的阈值电压。因为由于体效应的原因，Gate-Drain的阈值电压大于Vth0，所以Vdsat并不等于Vgs-Vth，Vgs-Vth只是我们在计算式采用的一个近似值
第二个问题你最好把电路图贴出来，不然没有见过这种电路的人很难帮你分析

et
2: dynamic biasing。

对于第二点，强烈要求贴电路图

Vdsat 是过驱动电压

差分运放的单端输出又反馈回自己的尾电流源上是什么用途 ~ 传说中的自偏置~?

可能是用做common mode feedback 吧, 或是一般的負回饋.

dynamic biasing

dynamic biasing 有什么用，请有实际经验的高手解答下，好像对运放的放大倍数有影响。

dynamic biasing 是一种增加功耗很好的方法（这是缺点啊，不要误解，呵呵！），但是作用也是显而易见的，比如说能够增加PSRR，输入输出duty可以得到改善，增加速度等等！

最好还是看看电路图，这样直观一点

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。