寻LED 驱动芯片设计用工艺
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Hi,
前我们欲开发一款大功率LED驱动用的DC-DC转换器，其输入电压最大可达18V，驱动最大功率可达700mA
我们希望，该工艺除能满足以下要求：
1. 满足最大18V高压；
2. 输出驱动在高达700mA时，输出功率管能保持很小的Ron,以提高效率和降低功耗（发热）；
3. 从成本和其它考虑，我们希望工艺最好是0.5um或0.6um 18V CMOS 工艺；
4. 该工艺能提供完整的PDK支持，
能否推荐适合此类设计的国内工艺?
多谢
前我们欲开发一款大功率LED驱动用的DC-DC转换器，其输入电压最大可达18V，驱动最大功率可达700mA
我们希望，该工艺除能满足以下要求：
1. 满足最大18V高压；
2. 输出驱动在高达700mA时，输出功率管能保持很小的Ron,以提高效率和降低功耗（发热）；
3. 从成本和其它考虑，我们希望工艺最好是0.5um或0.6um 18V CMOS 工艺；
4. 该工艺能提供完整的PDK支持，
能否推荐适合此类设计的国内工艺?
多谢
不知LZ现在用了什么工艺?
0.5um能耐18V吗?
目前CSMC(华润上华)的 5V/18V和20VBCD都能满足你的要求.
CSMC 的BCD可好?
国内的上华之类可以
上华的0.5um40V工艺
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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