讨论帖：交叉耦合中的容性耦合和感性耦合的区别
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我主要关心的是：
1这两种飞杆结构上是否相近，区别只是感性飞杆距离盖板和容性飞杆比较起来明显要远一点。
2从相对耦合带宽的仿真结果上来看，是不是感性飞杆的相对耦合带宽是随频率上升逐渐下降的，而容性飞杆正好相反，其相对耦合带宽随频率上升逐渐上升。
补个图，结构不变的飞杆，距离盖板越来越远，这个过程中表示相对耦合带宽的曲线出现了一次掉头，能否认为上升段的曲线代表了容性耦合而下降段的曲线代表了感性耦合？
1这两种飞杆结构上是否相近，区别只是感性飞杆距离盖板和容性飞杆比较起来明显要远一点。
2从相对耦合带宽的仿真结果上来看，是不是感性飞杆的相对耦合带宽是随频率上升逐渐下降的，而容性飞杆正好相反，其相对耦合带宽随频率上升逐渐上升。
补个图，结构不变的飞杆，距离盖板越来越远，这个过程中表示相对耦合带宽的曲线出现了一次掉头，能否认为上升段的曲线代表了容性耦合而下降段的曲线代表了感性耦合？
自己顶起来，等高手帮我鉴定一下我这个知识点是不是理解对了。
1、容性飞杆和感性飞杆是不同的结构，容性长见的就是飞杆结构，感性的可以是窗口、LOOP线、LOOP片等，这里说的只针对CT结构。
2、可能是仿真没有收敛，这里我更怀疑是你的飞杆高度离盖板越来越近，可能飞杆的位置已经超过了谐振器的高度，这样飞杆盘正对谐振器的面积减小了，耦合自然越往上越弱。
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了解一下！
了解了解....
我的描述反了，问题应该是这样的：
从相对耦合带宽的仿真结果上来看，是不是容性飞杆的相对耦合带宽是随频率上升逐渐下降的，而感性飞杆正好相反，其相对耦合带宽随频率上升逐渐上升。
提问的时候对磁场交叉耦合和电场交叉耦合的理解不够。现在看来这个问题可以总结一下：
在离盖板近的区域里磁场主导，在离盖板远到一定程度了，电场主导。
相同结构的飞杆在不同区域都能引起耦合，前者是磁场耦合，后者是电场耦合。
现在理解更深一点了，和采用什么结构去激发交叉耦合关系不大。
？
2楼的正解。
楼主的理解还是有点问题的，需要继续参悟啊。
“相同结构的飞杆在不同区域都能引起耦合，前者是磁场耦合，后者是电场耦合”
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