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利用HFSS10.0仿真电容式RF MEMS开关的隔离度应如何建立模型?
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请问:利用HFSS10.0仿真电容式RF MEMS开关的隔离度应如何建立模型?CPW上层金属膜应该设计成什么形状?
我在仿真开关的插入损耗时,上层金属膜设计的是结构对称的金属板,两端与下层CPW的地线相接触,这时,我仿真的S参数S(WavePort1,WavePort2)和S(WavePort2,WavePort1)波形是一样的?请问是什么原因?
谢谢
我在仿真开关的插入损耗时,上层金属膜设计的是结构对称的金属板,两端与下层CPW的地线相接触,这时,我仿真的S参数S(WavePort1,WavePort2)和S(WavePort2,WavePort1)波形是一样的?请问是什么原因?
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