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为何近场增益如此之高???

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我做的是平面螺旋电感的仿真,方形总共6圈,选用Driven modal模式,则其LumpPort默认输入功率1W,以小环天线理论分析,其近场辐射应该为零,但没想到仿真结果其增益如此之大,请教下老手,问题出在哪里?? 

网友回复:

对了,中心频率为50MHz,线宽0.4mm,线间距也为0.4mm

网友回复:

最好能把模型传上来,结果图对分析问题帮助有限

网友回复:

已经上传了。都在压缩包里

网友回复:

 
不知道你的近场增益的定义是从何而来?  
据本人的理解,天线中没有近场增益的概念,增益的定义是在相同输入功率条件下目标天线与参考天线(全向天线或者理想偶极子)辐射远场的比值,与距离无关,仅与方向有关,因为远场是exp(jkr)/r规律变化;而近场由于随距离变化不是那么简单,还含有1/r^2高次因子,按照增益定义得到的是一个与距离有关的量,因此没有实际意义。  
一句话,你画的所谓近场增益只是近场(HFSS给出的是绝对近场),就是给定入射功率情况下的近场分布。从你给的结果来看,在60v/m左右,我认为这是合理的数量级。具体大小取决于端口匹配、所求近场点的位置。你采用的是lumped端口,50欧?能确认端口匹配良好吗?也会影响nearE的具体大小。
 
这个结论成立吗?你有充分的证据吗?  
根据电偶极子的近场表达式(参考天线理论与设计,第二版,Warren L Stutzman,朱守正等译,p20, 1-71a/b式):  
 
(小环天线(磁偶极子)互易定理,电磁场互调)。可以看出仅在轴线上(theta=0、pi),磁偶极子的电场为零(a式),在其他方向上不为零  
按照上述公式,确实在轴向上E应该=0。这个问题确实值得探讨。  
我认为非零值的产生可能是对于平面螺旋天线,不能等效为理想小环天线,比如附加结构(如地板、馈电结构)在轴向上产生了非零分量。60v/m左右是不是偏大?可以与理想偶极子辐射场比较一下。  
 
另外,你的压缩包里并没有模型文件,只有图,大家为了这个问题专门去建一个模型很麻烦。方便的话可以将工程文件上传,这样可以更快的找到问题。呵呵

网友回复:

谢谢版主的指点下次会把工程文件传上去

网友回复:

斑竹说远场是 exp(jwr)/r 怎么理解斑竹说的远场与距离无关? 
hfss中是rE 就是用距离乘以E 这样就去掉了距离的影响 
 
平面螺旋电感 从天线角度看 应该属于电小天线 这样辐射就很小了 可忽略了 否则就成平面螺旋天线了 
 
 
谨供参考

申明网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习易迪拓培训专家讲授的HFSS视频培训教程

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