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HFSS里面仿真二元微带阵列天线与CST中仿真不一样,什么原因?

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最近仿真二元微带阵列天线,在HFSS里面仿真的结果跟在CST中仿真不一样,阵元及阵间距参数都是一模一样的,只不过在cst里面是画了两个阵元,同时激励,然后合并结果,如图所示:




下面是在HFSS里面的模型和结果,空气盒子左右和前后分别是一对主从边界条件,上表面是Floquet端口激励,下表面是radiation条件,贴片馈线处用的是集总端口激励.....单个阵元仿真完毕,然后用结果后处理,也是两个阵元,阵间距与cst中一样(HFSS里面设置不晓得有问题没...?)



大家对比下增益,E面和H面的3dB主瓣宽度,是不是差好远哦??
差的也太远啦....不晓得是怎么回事,初次仿真,问题一大堆,求指导,不胜感激!

 

下表面是radiation条件?个人认为下表面应该是pre_E(电边界)吧

 

是空气盒子啊,不是地...

 

感觉设置貌似有点问题
你可以尝试不使用主从边界来仿真一下单元,用理论计算下二阵元的仿真结果,一起仿真两个单元也很简单,在和cst对比下,一般不会有太大出入,应该是设置问题

 

其实用HFSS和CST我都仿真过单元了,参数完全一样,但是CST中的增益比HFSS重的要大一两个dB...
那个在HFSS中一起仿真两个单元是设置两个端口?好像HFSS里面没有像CST里面可以进行端口合并或结果合并的功能啊?

 

增益大小跟空气盒大小有很大关系,况且HFSS里面仿真出来的远场准确度也不高,但是看了一下远场的分布也差很远,感觉也是设置问题

 

哦,这个看错了

 

很好的结果

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