微波功率放大电路中电磁仿真问题

在屏蔽盒内与管子相接的地方及屏蔽盒外电路板上与外围电路相接的位置加端口，这样做能够抽取屏蔽盒引入的寄生效应，把抽取的S参数或等效电路导入ADS中做电路仿真。

没有试过和ADS的协同仿真，我用过AutoCAD或者Soliworks把屏蔽腔体、电路板和器件转成三维模型，用HFSS仿真这个三维模型的谐振频率，这样主要是想消除大功率放大器的腔体效应。但是转三维模型的工作比较繁琐，一般得找机械工程师帮忙。

不太清楚啊，提取S参数是用HFSS进行吗，似乎感觉操作有点复杂？

回前面，请问你那次做的仿真精度有没有很大的提高，有没实用意义？

那个3维模型仿真是要避免腔体谐振，和仿真精度关系不大。仿真过程里没见到谐振模式，实际样机做出来也没发现有异常现象，比如s11/s21在某个地方突然出现尖峰。不过建3维模型很麻烦，需要机械工程师用solidworks去建，AutoCAD不好用。附上的这篇high frequency electronics上的文章是一个新加坡的工程师写的，他用CST模拟他的功放的腔体效应，思想是一样的。

CST_HFE_Jan_2008.pdf

thank you for the paper

几天没上来看贴了，谢前面的回复了，我有个疑问，就在调试功放过程中，加上屏蔽腔体后(有时放在上方也会出现)，有时会发现S21增大或减零点几个DB，不是尖峰，而是整个使用频段，虽然不多，但不知是什么效应产生的，我有时还在想空腔内环境对交调、杂散或ACP等指标有什么样的影响。先看下这篇文章了

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的HFSS视频培训教程。