HFSS仿真环路辐射，应该怎么加激励？

举例说明，不知道对不对，供参考吧

上传一篇文章，感兴趣的一起来做一做！
我现在遇到的问题是：
1、激励源和负载不知道要怎么加？
2、文章中的图3不知道是怎么做出来“远场3m”的三维图的？
3、图4和图5，做的是“远场VS面积”的曲线，面积就好办了，可是远场的场强是怎么做出来的呢？在创造报告的Far field中，有rE这一项，是利用这一项来做的吗？

开关电源差模电流辐射干扰的模拟与分析.pdf

用你的 Project 單點 500 MHZ的最大場強絕對值為 7.9393mv。
因為你的源沒有 100 Ohm 電阻，所以電流為 2 倍，而 HFSS 輻射場強為 1m 參考值，依公式，應為3m 時場強的3倍。
所以 7.9393mV / 6 = 1.3232mV，與報告中 25 cm^2 的值相近。
以這樣的概念，請你再參考圖4，分別驗證面積為 9, 16, 36, 49 cm^2 的場強，看看是否正確。

不好意思，上一回帖，誤放兩張圖，不知如何刪除，若總版主有權限，若麻煩你刪掉一個，謝謝！

TO honejing:
三个咨询！
1、你是否加的也是电压源（不能设置内阻），负载处使用的也是lumped RLC的R是吗？ 我按照此设置，仿真结果与你的不一样，最大绝对值达到9mv以上，不知什么原因？看图一！
2、参数rE的理解，是表示：距离乘以场强E，是指PCB远场空间的任意点处的电压值，是吧（临时看了看help，不是很懂，汗）？
3、“而HFSS 輻射場強為 1m 參考值”，软件默认的定义吗？此话怎么理解？

我也试着将激励设为lunmped port，并置阻抗为100欧姆，
按你的思路，结果/3，与文献之图片4（25平方的情况）也是有差距的，见图片

我完全沒有更改你上載的project，只是Result 的3D plot改看abs (rETotal)，值就是 7.9393 mV/m, 並給你說明而已。
你是否加的也是电压源（不能设置内阻），负载处使用的也是lumped RLC的R是吗？
==>都是你原先用的1V 激勵及 100 Ohm Lunped R boundary 。
软件默认的定义吗？
==> 據了解，HFSS 默認是 1m 的場強。

试了多种情况，反倒情况更复杂了，呵呵！
1、负载电阻的current line（翻译成电流线吗？），改变箭头方向，结果差异较大啊，头晕了，看help没看懂方向改变有何区别，难道不能只当成是电阻来理解吗？还需辨识方向？
2、发现激励所在的面改变位置（不在中间了），也有很大影响啊

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的HFSS视频培训教程。