使用WAVE PORT的问题：为何理想磁边界与辐射边界结果差异大？

下面是使用集中端口LUMPER PORT的两种结果
也是按空气腔体为理想磁边界与辐射边界进行的仿真
第一张是理想磁边界
第二张是辐射边界
看着基本接近，辐射的db比理想的高 这应该也属于正常

你说的是什么。。

使用WAVE PORT的问题：为何理想磁边界与辐射边界结果差异大？ Q9d`zR]

我有个问题：为什么你会预期这二种边界得出来的结果会一样? 可否讲讲其中的缘故?
我觉得你用lumped port得出来的结果比较奇怪! 但因看不清楚你的架构，不好说!

就是普通的微带走线，从top层经过一个via走到bottom层，上下均由完整的参考平面，走线的长度一样长

那为什么会觉得理想磁边界与辐射边界会一样?
或者说你认为理想磁边界代表什么意义呢?

我的意思是：为何使用集总端口+辐射边界 与 使用波端口+辐射边界 差异这么大？
波端口使用的时候，波端口所在面是否要设置成辐射边界？
但是在HFSS_Via_Wizard自动生成的工程文件里面也发现使用的WAVE端口+辐射边界
下面是分别使用集总端口与波端口的工程文件（HFSS13）

HFSS中文教程（扫描）.pdf在这个教程里面，使用了集总端口与理想磁边界

单纯就辐射边界而言，你二种架构(wave & lumped)的大小就不一样，而且一种是PCB接到边界，一种是PCB比air小，很难说是 port的影响或是boundry，甚至是PCB的尺寸。
我的问题还是一样，为什么要将边界设为perfect H，这有什么物理意义吗? 如果设为perfect E，我还比较能够了解，这可能是一个封装的架构!
另外若单纯就图形来分析(如果你的建模没错的话)，我会认为辐射边界的才是这条线的特性，加上 perfect H会形成空腔的共振效应，造成S21曲线的不连续效应。不过这只是看图说故事，做不得准!

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