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HFSS仿真并联电容式RF-MEMS开关中遇到问题
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我所仿真的例子是东南大学黄庆安老师所翻译的那本书（RF MEMS 理论设计技术）上的。
例子的剖面图如下：
仿真开关图如下：
上图仿真的是开关在“up”态时的情况，采用的端口是lump port， 外面的空气层都画了，图中隐去了，辐射边界也有。按照书上的性能指标，5-40GHz时，插入损耗应该在0.02-0.8db,而我仿出的插入损耗S11的数量级是0db-0.003db之间，太小了，按道理插入损耗是不可能这么小的，肯定是哪里错了。我仿真的插入损耗结果如下图所示：
另外我在本站看到一个别人仿真的例子里面up态时S21是求插入损耗的，跟我正好相反，对此我不是太理解。
我仿真的例子也在上面，麻烦懂得同志指点一二，不胜感激！
例子的剖面图如下：
仿真开关图如下：
上图仿真的是开关在“up”态时的情况，采用的端口是lump port， 外面的空气层都画了，图中隐去了，辐射边界也有。按照书上的性能指标，5-40GHz时，插入损耗应该在0.02-0.8db,而我仿出的插入损耗S11的数量级是0db-0.003db之间，太小了，按道理插入损耗是不可能这么小的，肯定是哪里错了。我仿真的插入损耗结果如下图所示：
另外我在本站看到一个别人仿真的例子里面up态时S21是求插入损耗的，跟我正好相反，对此我不是太理解。
我仿真的例子也在上面，麻烦懂得同志指点一二，不胜感激！
需要补习一下微波基本理论
插入损耗是s21的绝对值，不是s11
谢谢1楼！对这个确实不太清楚，微波没好好学！
那再请问下隔离度应该就是S11了吧？
隔离度是开关打开状态下的s21
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的HFSS视频培训教程。
