请教port的参考电阻问题

我在做天线仿真时，初始建模把端口设为waveport，参考电阻50欧姆，画出来的S11中心频率98GHz，S11的dB表示为-8dB,试着在waveport的后处理选项中把参考电阻改为100欧姆，发现S11的plot中心频率变为97GHz,-12dB。
我想请问两个问题：
1.出现上述结果的原因是什么呢？小女子微波知识匮乏，只知道S参数有一个叫做renormalize的归一化参数，但不知道此归一化和port的参考电阻有什么样子的具体关系？比如是不是两者有具体的公式联系？
2.port的参考电阻指的就是该port的端口电阻吗？比如我把port1(激励源端)设为50欧姆，是不是表示激励源的电阻就是50欧呢？要是我想把负载电阻设做100欧姆，是不是也只要把代表负载端的port设作100欧姆？
烦请知情者替小妹解释解释，不胜感激！

 

s11=Γ=(Zin-Z0)/(Zin+Z0)，表示天线的电压反射系数，你画出的曲线为回波损耗曲线，回波损耗为
10log（s11模的平方），Zin为天线阻抗，Z0为PORT参考阻抗，也就是PORT下面传输线的特性阻抗。

你可以看一下，Zin不变，Z0变了（50欧姆—100欧姆），显然S11要发生变化。

第一个问题： 那个归一化就是指Zin相对于Z0的归一化，即z in=Zin/Z0，你的Z0变了，归一化参数肯定要变，即s11=(zin-1)/(zin+1)会变。

第二个问题：PORT的参考电阻表示在实际当中PORT 下面要接传输线的特性阻抗，传输线的特性阻抗一般为固定的，多数为50欧姆，也有100欧姆或者75欧姆等的。一般做天线，你的天线阻抗是要像参考电阻看齐的，而不是PORT参考电阻像设计天线阻抗看齐。也就是说尽量使得设计天线的输入阻抗与参考阻抗相等，这样才能够使得天线的反射系数最小，它的效率才会最高。
以上回答，罗里罗唆，只想对楼主有帮助，到会叫一些微波、天线大拿见笑

 

非常感谢前面的xxgcatz，原来我之前拿port的阻抗去匹配天线是犯了大错嘿，
受益匪浅！xxgcatz真是好心人，再次感谢：）

 

呵呵。一般在天线的后面都要加一段阻抗变换电路的。呵呵

 

二楼说的不错，顶一个！

 

二楼讲的有几分道理, 也不全然正确, 设计天线时,天线的阻抗应该与接收机的输入阻抗匹配(包括馈线部分). 在接收机的阻抗固定情况下,只能通过调整天线的阻抗来实现了,譬如RFID中的标签天线设计.标签天线直接与芯片相连, 而芯片的输入阻抗已经固定,且大多数情况下都是复阻抗. 这是的端口设置方式也不能按二楼的方式来理解. 我在实践中遇到了上述一些情况,拿出来跟大家讨论讨论.
大家有什么不同意见?

 

5楼的意思不就是说明有时要在天线与馈线间加入匹配网络嘛。

 

也可以这样理解, 但这时的匹配网络和天线已经是一个整体, 单纯地从天线地输入端口阻抗来理解更直接.
因为在RFID标签中, 芯片直接与标签天线相连, 芯片地面积很小, 可以用集总端口来替代, 这时为了使标签得到好的读写效果, 就必须把天线的输入阻抗设计成芯片的共轭阻抗形式. 就譬如直接用偶极子跟芯片相连, 你把哪部分看成是馈电网络呢???

 

我想如果是这样的话，肯定是要不天线本身输入阻抗设计为共轭阻抗。要不中柬加入一个阻抗转换网络。但肯定的是， 与源的阻抗的某种关系是最终目标。 ，并且7楼说的馈电网络应该指的是的外界激励吧。一般RFID里的标签是无源的吗？呵呵，我不做这方面，只是原来看过这方面东东，大概记得。他从外界得到的能量并用一个电抗元件储存起来以便完成一次问答过程。是不是这样？请指教了！，7楼同志

 

无源RFID标签的基本原理正如8楼描述的那样, 由于芯片面积很小, 绝大部分电子标签采用讲芯片引脚直接和天线焊接在一起, 这时为了很好的匹配, 天线的阻抗就需要设计成芯片输入阻抗的共轭形式, 而略去匹配网络.才能将标签做小.

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的HFSS视频培训教程。