HFSS仿真微带线如何看特性阻抗？

看下你的端口面。

端口面是这样的，不太清楚如何设置积分线与端口面。请问对么

不对 ，直接把空气腔的一整面作为端口

想看微带线的特性阻抗必须用波端口，你用波端口了吗？另外就算你用的集总端口，从这图片看来也不对，估计即集总端口都设置错了

端口太小，端口不归一化

端口太小了

用集中端口，然后打TDR看阻抗即可

Lump mode是解电压、电流，而Wave port是解"模态"(mode)

从以上描述不难理解，若Wave port所在的平面空间不够大，将导致传输线周围的电力线与磁力线涵盖不够，所以整个模拟值会偏差较大。

以线宽W=6mils、线距S=3W=18mils、线长2000mils的 传输线为例，堆栈结构则是线铜厚1.4mils，讯号线放在高度58mils的substrate上(Microstrip)，介电系数4.25，有reference plane.

1.把wave port建在boundary face of free space上，且这wave port平面贴着传输线，如下图所示，模拟出来的特性阻抗大约136.7138.5 ohm，与Polar的特性阻抗试算结果完全吻合。

此处背景空间(free space)的大小，会影响到模拟出来的特性阻抗值
2.Wave port建在PCB substrate的侧边YZ平面上，且这平面贴着free space，如下图所示，模拟出来的特性阻抗随着频率大幅变化。因为这样的wave port没有考虑传输线上方空间的电磁场效应，所以模拟结果是错的

3.Wave port建在PCB substrate的侧边YZ平面上，且这平面不贴着free space。这样模拟是跑不出来的，因为除了没有考虑传输线上方空间的电磁效应，在free space boundary与substrate上的wave port之间的空间，没有电磁场的information

4.在PCB substrate的侧边YZ平面上，另建一个"矩形平面"，贴着传输线而不贴着free space boundary，在这新建的平面上下wave port，模拟结果是错的

5.在PCB substrate的侧边YZ平面上，另建一个矩形平面，贴着传输线 与free space boundary，在这新建的平面上下wave port，模拟出来的特性阻抗大约137.8139.1 ohm，与Polar的特性阻抗试算结果完全吻合。


6.在PCB substrate的侧边YZ平面上，另建一个矩形平面，贴着传输线 与free space boundary，但这free space只包上半平面，在这新建的平面上下wave port，模拟出来的特性阻抗大约131.8133 ohm，略小于Polar的特性阻抗试算结果。


以Wave port输入时，要注意sheet edge of port的boundary condition默认为Perfect-E，要注意这会影响到整个仿真系统的"模态数目"计算。[number of mode]=独立的导体net数目#n-1

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的HFSS视频培训教程。