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并联一个1M的电阻晶振旁起到什么作用？
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并联一个1M的电阻晶振旁起到什么作用?
我今天到一个客户那里跳板子，原先我们的参考电路图上面是有这个1M电阻的，客户处于某种原因的考虑，将这个1M电阻去掉了。
下完程序后，在有1M电阻的板子上面，马上就可以运行程序，而在没有1M电阻的板子上，要过很久程序才开始运行。
看来是这1M电阻影响了晶体振荡器的起振时间。
但这个1M的并联电阻到底起到什么作用呢?
有人说防止晶体停振，但到底是什么更有说服性的原因呢?
我今天到一个客户那里跳板子，原先我们的参考电路图上面是有这个1M电阻的，客户处于某种原因的考虑，将这个1M电阻去掉了。
下完程序后，在有1M电阻的板子上面，马上就可以运行程序，而在没有1M电阻的板子上，要过很久程序才开始运行。
看来是这1M电阻影响了晶体振荡器的起振时间。
但这个1M的并联电阻到底起到什么作用呢?
有人说防止晶体停振，但到底是什么更有说服性的原因呢?
增加了晶体的负载电阻R，根据品质因数的定义Q减小了，那么选频系数变大，相当于频带变宽吧，起振应该更容易
谢谢
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