弱问：电阻 接法

以上是关于DDR匹配电阻连接的两个电路。
其中第一个是参考板。它是用两个电阻做的源端匹配，然后分别连接到两片DDR。
而我的想法是直接用一个电阻连接。然后设置一个T点，分别连接到两片DDR，如第二个电路。
不知道大家有没有碰到用电路一连接的情况?不知道是出于什么考虑，从主芯片出来的地址线要经过两个同阻值的电阻，再分配到两个DDR。
请大家给点指导，这两种方式有什么不同?哪种方法更为合适?

负载有反射，第二种方法就不好处理了。

第二种方法负载有反射不会相互影响?

第二种方法，不明白为什么反射会不受影响。
我发现，貌似第二种方式用的比较多吧?

悲剧，仿真结果显示是第二种好。波形是两种拓扑的对比，过冲大的是第一种

果然是高手。
这么意外，那你有没有对仿真结果进行分析啊?

说了不是高手 ，我不知道原因啊，希望高手分析下！

我刚做完一个56442芯片外挂3片DDR的板子，拓扑上采取的是第二种方案。

第一个图的电阻取值为第二个的两倍的话，两个图几乎无差别

设置了T点再分到三片DDR吧?

哦，呵呵我不懂仿真，所以看不懂你的图是怎么做的拓扑结构。
不过还是谢谢你，让我知道了结果。

是的

第一个图每条分支都要加电阻，颗粒多的时候岂不是很悲剧，既然能够达到同样的效果，器件越少也越容易布线，成本更低（虽然电阻没几个钱）

第二种情况如果两个分支延时不同的话我想信号会很糟糕吧，但是ddr电路是否要求两个分支延时相等。

恩是的。
我再请教一个问题。我可以理解地址线加电阻的时候，加在源端，因为我的理解是地址线单向传输。
那如果数据线，要加匹配电阻，是靠近CPU呢，还是靠近DDR?因为它是双向传输的，相当于I/O线。
这个问题可能问的有点幼稚，因为我刚做这行，呵呵给点指导。