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弱问:电阻 接法
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以上是关于DDR匹配电阻连接的两个电路。
其中第一个是参考板。它是用两个电阻做的源端匹配,然后分别连接到两片DDR。
而我的想法是直接用一个电阻连接。然后设置一个T点,分别连接到两片DDR,如第二个电路。
不知道大家有没有碰到用电路一连接的情况?不知道是出于什么考虑,从主芯片出来的地址线要经过两个同阻值的电阻,再分配到两个DDR。
请大家给点指导,这两种方式有什么不同?哪种方法更为合适?
负载有反射,第二种方法就不好处理了。
第二种方法负载有反射不会相互影响?
第二种方法,不明白为什么反射会不受影响。
我发现,貌似第二种方式用的比较多吧?
悲剧,仿真结果显示是第二种好。波形是两种拓扑的对比,过冲大的是第一种
果然是高手。
这么意外,那你有没有对仿真结果进行分析啊?
说了不是高手 ,我不知道原因啊,希望高手分析下!
我刚做完一个56442芯片外挂3片DDR的板子,拓扑上采取的是第二种方案。
第一个图的电阻取值为第二个的两倍的话,两个图几乎无差别
设置了T点再分到三片DDR吧?
哦,呵呵我不懂仿真,所以看不懂你的图是怎么做的拓扑结构。
不过还是谢谢你,让我知道了结果。
是的
第一个图每条分支都要加电阻,颗粒多的时候岂不是很悲剧,既然能够达到同样的效果,器件越少也越容易布线,成本更低(虽然电阻没几个钱)
第二种情况如果两个分支延时不同的话我想信号会很糟糕吧,但是ddr电路是否要求两个分支延时相等。
恩是的。
我再请教一个问题。我可以理解地址线加电阻的时候,加在源端,因为我的理解是地址线单向传输。
那如果数据线,要加匹配电阻,是靠近CPU呢,还是靠近DDR?因为它是双向传输的,相当于I/O线。
这个问题可能问的有点幼稚,因为我刚做这行,呵呵给点指导。