请教：关于金手指的一个小问题

其实上面的表述有点片面，为避免金手指的区域刻蚀掉后使FR4的固化度不够，可能引起连接端子刮出粉末，所以一般内层会保留一些铜，或者采用GND shape或者阻流盘的形式，靠近板子中间的适当远离板边，靠外的近点，一般0.5足以；另外有提到焊盘下方挖空处理，一般也只是在有类似serdes等高速信号的时候才会出现，有点类似射频的走线，相邻层甚至几层挖空，并适当外扩，这样才能做到阻抗匹配，避免信号完整性问题，1G信号一下很少见到上面的处理，至少在华为跟中兴两家的板子上都是这么处理的

顶起！

金手指面积大，阻抗低，阻抗差异越大导致信号反射也越大，挖空与其相邻的平面能提升金手指的阻抗，不光是金手指，很多高速信号线焊盘连接处的参考面都是挖空的

学习！

很多高速信号线焊盘连接处的参考面都是挖空的
这个表达不准确，因该是相邻参考面挖空，选择更远的作为参考面，提高阻抗。

小编还是很强大的，我知道是控制阻抗，但是具体的还是说不清楚

3楼的解释很好，5楼的补充也很好

明白了，谢谢3楼及5楼的补充。

学习了

鼠标抖抖，金币到到手，手提酱油，低头猛走！

学习了

菜鸟又长见识了，呵呵

我想问一下，金手指下面是不是所有层都需要挖空啊，那样就没有参考平面了?

我们的做法是金手指下边基本上没有参考，也就内层地可以稍微压上一点，内层电不铺上金手指

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