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仿真结果分析？
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用IBIS模型仿真时，flash，sram异步存储器的地址、数据信号的上升沿和下降沿不单调，导致噪声裕量减小，这样影响正确的读写操作吗?考虑到并不是这些信号一改变存储器就锁存，我认为是不影响的。不知道这样想对不对?
从这个波形来看，对信号锁存没什么影响。
判断是否有问题，首先是观察判断电平是否符合芯片的设计要求，再观察时序是否满足芯片要求；这是两个主要方面。
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