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在CST中如何实现材料模型加外接电压的仿真？急求
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我做出了一个单元的结构要进行时域仿真，但是在CST当中不知道怎么把这个外电路加进去，实现外加电压。金色部分为结构，用材为GOLD，基底是GaAs. 如果在CST中无法实现这种仿真，那么其它什么软件可以实现的吗？谢谢高手指教，不胜感激。。。
同时使用CST MWS和CST DS可以实现EM/Circuit Co-Simulation，这个是没有问题的。CST帮助文件《EM/Circuit Co-Simulation Overview》就有非常详细地介绍，如果要做电磁/电路仿真的话，建议认真阅读。Help -> CST MICROWAVE STUDIO -> Solvers -> EM/Circuit Co-Simulation。
CST Studio Suite 2010的Examples里面也有3个算例SRD Pulse Generator、UWB Balanced Amplifier和Matched Antenna，可以参考。其中第一个是CST官方Application Notes之一，在论坛CST资料库《CST官方应用文章汇总（英文）》中有这篇应用文档。
在EM/Circuit Co-Simulation中建模的时候，DS和MWS可以通过Discrete Port实现连接。（"The interface between the 3D EM field simulator and the circuit simulator is facilitated by the use of discrete ports."） 对于算例中的模型，在DS中需要连接电路元件的地方，在MWS中都使用Discrete Port。
EM/Circuit Co-Simulation有两种运算方式：
一种是先用传统的MWS电磁仿真得到完整的S Parameters Matrix，再在DS中创建S Parameter Task实现电路计算。如果三维模型不作修改，电磁仿真不占用很长的仿真时间，只专注于电路仿真结果的话，这个方式是很合适的。一般DS中的电路仿真十几秒就可以完成计算。
如果三维模型需要修改，或者模型里有非常多的离散端口，那么使用上面的方法时，每次电路计算之前都要计算完整的S Parameters Matrix，非常没有效率，因此就有了第二种计算方式：Transien Co-Simulation。在DS中创建Transient Task，选择DS中的port设置激励模式，就可以得到对应端口的参数。（通常使用Probe查看电压和电流参数，如果要使用S参数后处理模板，需要将激励设置为signal）具体的设置、操作请参看上面的帮助文档。
举例，我现在仿真以太网里使用的Connector，MWS模型使用16个single-ended discrete ports，再在DS中设置16个ports做Mode Conversion。
使用DS S-Parameter Task耗时19个小时：19 hours MWS transient solver time + 13 seconds DS S-parameter solver time.
使用DS Transient Co-Simulation耗时1个小时左右：1 hour transient co-simulation solver time.
网友回复:
网友回复:
电路部分的仿真应该使用CST Design Studio。
网友回复:
我知道的。但是该怎么设置端口呢？没有端口，在STUDIO DESIGN 里面就没法加电路部分了啊
网友回复:
再比如说下面的图1中，1-5处分别是加的什么端口？才能在图2中进行CST MWS/CST DSR的联合仿真？
网友回复:
嗯，这个可以详细说一下。
同时使用CST MWS和CST DS可以实现EM/Circuit Co-Simulation，这个是没有问题的。CST帮助文件《EM/Circuit Co-Simulation Overview》就有非常详细地介绍，如果要做电磁/电路仿真的话，建议认真阅读。Help -> CST MICROWAVE STUDIO -> Solvers -> EM/Circuit Co-Simulation。
CST Studio Suite 2010的Examples里面也有3个算例SRD Pulse Generator、UWB Balanced Amplifier和Matched Antenna，可以参考。其中第一个是CST官方Application Notes之一，在论坛CST资料库《CST官方应用文章汇总（英文）》中有这篇应用文档。
在EM/Circuit Co-Simulation中建模的时候，DS和MWS可以通过Discrete Port实现连接。（"The interface between the 3D EM field simulator and the circuit simulator is facilitated by the use of discrete ports."） 对于算例中的模型，在DS中需要连接电路元件的地方，在MWS中都使用Discrete Port。
EM/Circuit Co-Simulation有两种运算方式：
一种是先用传统的MWS电磁仿真得到完整的S Parameters Matrix，再在DS中创建S Parameter Task实现电路计算。如果三维模型不作修改，电磁仿真不占用很长的仿真时间，只专注于电路仿真结果的话，这个方式是很合适的。一般DS中的电路仿真十几秒就可以完成计算。
如果三维模型需要修改，或者模型里有非常多的离散端口，那么使用上面的方法时，每次电路计算之前都要计算完整的S Parameters Matrix，非常没有效率，因此就有了第二种计算方式：Transien Co-Simulation。在DS中创建Transient Task，选择DS中的port设置激励模式，就可以得到对应端口的参数。（通常使用Probe查看电压和电流参数，如果要使用S参数后处理模板，需要将激励设置为signal）具体的设置、操作请参看上面的帮助文档。
举例，我现在仿真以太网里使用的Connector，MWS模型使用16个single-ended discrete ports，再在DS中设置16个ports做Mode Conversion。
使用DS S-Parameter Task耗时19个小时：19 hours MWS transient solver time + 13 seconds DS S-parameter solver time.
使用DS Transient Co-Simulation耗时1个小时左右：1 hour transient co-simulation solver time.
网友回复:
我看过帮助文件了，但是似乎对我所仿的模型没有太大用处。您说的2010版的CST中有三个可参考的算例SRD Pulse Generator、UWB Balanced Amplifier和Matched Antenna，可否发我一下？
Email: victoria101@yeah.net. QQ：394516182（请注明来自微波仿真论坛哦）
万分感激。。。。
网友回复:
这个不敢苟同，我不相信这个对你的模型没有太大用处，我始终认为帮助文件对相关仿真有大大的用处！就以你在2楼贴的截图来说，在MWS中在跨接电路的两点之间创建一个discrete port，再在DS中对应的端口创建电路元器件，这个不就是帮助文件所说的流程么？
你用的是什么版本的CST？在你的CST里面没有安装Example么？至少CST 2009和CST 2010都有这三个算例。
网友回复:
您说的是这几个例子吧，就这几个我无法点进去。。。呃，不知道为什么
网友回复:
有可能是你没有安装CST DS的Examples。你能确定你安装了MWS和DS的Examples吗？另外你用的是2009还是2010？
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。
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