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CST微波工作室的TDR仿真介绍
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在后处理中的1D Results中选择TDR from Time Signals 或 TDR from S-Parameter ，如下图所示，前者是基于激励信号来求，后者是基于S参数来求。
TDR 主要是依据端口的反射信号来计算沿着TEM 或者相似结构的阻抗特性；在测量当中，TDR 是深入结构内部、定位非连续点的唯一方法；典型的 DR 应用是拥有最小反射损耗的TEM 结构比如连接器或者IC Package；既然TDR脉冲必须是短脉冲（为了确定空间的不连续点），因此它的带宽非常宽，CST MWS的时域求解器非常适合TDR求解。
TDR可以有两种激励方式：1）阶越信号（step time signal） 2) 高斯信号（Gaussian time signal）。模版自动识别信号类型，并且在1）和2）之间切换计算。
1） 阶越信号
上升的矩形脉冲是TDR 的典型激励。但是它存在一定的缺点，能量不衰减（时间信号永远不停止），同时由于激励频谱中的零幅度，导致一些频域数据比如Ｓ参数中会出现一些“未定义的频率”。用高斯信号激励就不会出现以上两个。因此推荐使用方法 2）。
其中 Z(t)t是TDR阻抗， Zo 是端口的传输线阻抗，i 是输入阶越信号的幅度，O(t)是反射信号。
注意：为了在时间和空间上用离散的方法求解激励的最高频率，您最好选择最高频率的上限为1/Trise
下图是一个TDR的例子：
