CST场路联合仿真实例：芯片封装辐射仿真方法

点击Results Settings选项卡，勾选Enable time gating，并将考虑的时间由10ns，到仿真结束，软件会自动计算出最小的频率分辨率，如下图所示：

勾选了Assume periodic signals这一项，就会把仿真信号变为一段周期信号。这里仿真的时间越长，频域的分辨率就越高。同样我们需要设置Number of Samples来满足较高的采样率。

点击Update，

到这里我们就完成了场路结合的仿真。

分析结果

首先我们先观察一下路的结果，选中Tasks文件夹下的Tran1/TD Voltages/P1，如下图所示：

之前的设置从10ns开始，就是为了去除一开始不稳定的部分，而将10ns开始到60ns的信号生成周期信号，如下图所示：

选中Tasks文件夹下的Tran1/FD Voltages/P1，如下图所示：

到3D界面（微波工作室中），在Probes文件夹下多了一组[Tran1]的文件，点击E_Field (Farfield) (Spherical) (0 0 3000)(Abs)[Tran1]，如下图所示：

这样就得到了IBIS信号下的EMI辐射在theta=0,phi=0,3米远处的电场强度的频谱。

CST有个宏，可以将所有探针最大值的包络取出来，如下图所示：

点击Peak Field Values from Probes，并在Specify Excitation String下输入（Abs）[Tran1]，如下图所示：

这样就在导航栏下得到所有探针在IBIS激励下，所有模值结果里的最大包络曲线，如下图所示：

但是这里只是做了场路仿真，但这不是真正的场路协同仿真，真正的瞬态场路协同仿真是CST的看家本领，即每一步路的结果都会直接到场里去计算，而不是仅仅将通道和路结果进行混合。到后面会给大家举例介绍，见下图：

本期完成了CST场路联合仿真实例的芯片封装EMI辐射的仿真过程。