CST场路联合仿真实例：芯片封装辐射仿真方法

大家好，本期将介绍CST在EDA领域里的应用案例—芯片封装辐射仿真方法。这里我们辐射信号源模型用到了IBIS模型，并模拟在该源模型下芯片封装对外辐射。

首先我们先完成芯片封装的S参数提取，这里我们接着上一篇仿真实例002：芯片封装S参数提取方法继续。我们在该案例中已经设置好了需要仿真的一对差分对。后面我们在DS（设计工作室中）对这对信号激励IBIS源模型，并观察芯片在工作下的对外辐射情况。

场仿真设置

在上一篇中我们提到了使用CST的模板并如何快速EDA import得到仿真结果。这篇将之前已经完成端口导入建模的芯片封装的文件另存为Package_EMI，如下图所示：

因为仿真的芯片远场辐射，我们需要设置边界条件，如下图所示：

设置探针监视器

为了观察封装3米远的辐射，我们需要在封装四周设置探针监视器，CST有一个宏能快速设置360°的监视器，Marcos\Results\EMC\Define Probes in 2D plane or 3D volume，如下图所示：

弹出对话框，勾选E-field(farfield)，并在3米远的球面上，每间隔30°设置一个监视器，如下图所示：

点击左侧导航栏下的Probes，如下图所示:

此时窗口主视图，如下图所示：