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CST MWS Multipin Port与Single-Ended Port的讨论
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1.两者区别
Multipin Port主要面向TEM模及色散比较小的QTEM模，并且模式是相互正交的或者是模式间耦合比较小。典型应用：多导体波导，差分对耦合微带线。
Single-Ended Port主要应用在端口不均匀或者模式间存在强互耦。应用：计算耦合微带线之间的互耦。
这里需要说明的是虽然两者都能仿真耦合微带线，但是Multipin Port是将差模和共模（差、共模定义请参考EDATOP大人的/read.php?tid=41017&page=1。）作为端口的两种模式，因而计算的是差模和共模激励下的S参数，并不能计算微带线之间的互耦和耦合微带线中单根激励的S参数。而Single-Ended Port却能很好的解决单根微带线之间的互耦问题。
2.问题
2.1 S参数问题
However, when starting the simulation the solver uses the original port modes to calculate corresponding S-parameters, which then are recombined to single-ended S-parameters during a postprocessing step. At single-ended ports the corresponding single-ended modes can be accessed in the result tree.
——《Multipin Port Overview》Single-Ended Waveguide Ports
在应用Single-Ended Port仿真后，左侧的导航树2D/3D results中会出现Port Modes和Port Modes Single-Ended两个文件夹，其中Port Modes中的为差共模端口模式，而后者中是单端模式。这个跟上面的解释很相符，但是如果使用Original port mode（差共模）计算出来的S参数只能反应差共模之间的耦合才对，如何反应单根导体之间的耦合呢？ 根据Help中经常提到的提取Single-Ended Port仿真后提取S参数的方法Macro->Results->Single-Ended S 参数，根据宏的名称提取出来的是单端的S参数.
但是，根据后面第3节的仿真，计算出来的S参数应该是单根导体模式之间的S参数，而非差共模的S参数，那上面的那段话该如何理解呢？
2.2 不均匀端口计算方法选择
根据《Multipin Port Overview》介绍给出了两种计算不均匀端口的计算方法，如下面的3.1和3.2中采用的两种方法。
文中最后一句“The preceding subsection explains the multipin port feature which provides a good solution in many cases. However, for inhomogeneous waveguides at higher frequencies, this convenient feature cannot be applied. ”更高的频率应该采用3.2的方法，但是 “Higher frequencies”的范围是什么？为什么更高的频率不能采用3.1的方法？
2.3 Port Mode Single-Ended模式计算出来的线阻抗的物理意义是什么？
由于第3节仿真图片较多，故以PDF形式上传，仿真文件也附在后面（CST2011SP7）。
Multipin Port主要面向TEM模及色散比较小的QTEM模，并且模式是相互正交的或者是模式间耦合比较小。典型应用：多导体波导，差分对耦合微带线。
Single-Ended Port主要应用在端口不均匀或者模式间存在强互耦。应用：计算耦合微带线之间的互耦。
这里需要说明的是虽然两者都能仿真耦合微带线，但是Multipin Port是将差模和共模（差、共模定义请参考EDATOP大人的/read.php?tid=41017&page=1。）作为端口的两种模式，因而计算的是差模和共模激励下的S参数，并不能计算微带线之间的互耦和耦合微带线中单根激励的S参数。而Single-Ended Port却能很好的解决单根微带线之间的互耦问题。
2.问题
2.1 S参数问题
However, when starting the simulation the solver uses the original port modes to calculate corresponding S-parameters, which then are recombined to single-ended S-parameters during a postprocessing step. At single-ended ports the corresponding single-ended modes can be accessed in the result tree.
——《Multipin Port Overview》Single-Ended Waveguide Ports
在应用Single-Ended Port仿真后，左侧的导航树2D/3D results中会出现Port Modes和Port Modes Single-Ended两个文件夹，其中Port Modes中的为差共模端口模式，而后者中是单端模式。这个跟上面的解释很相符，但是如果使用Original port mode（差共模）计算出来的S参数只能反应差共模之间的耦合才对，如何反应单根导体之间的耦合呢？ 根据Help中经常提到的提取Single-Ended Port仿真后提取S参数的方法Macro->Results->Single-Ended S 参数，根据宏的名称提取出来的是单端的S参数.
但是，根据后面第3节的仿真，计算出来的S参数应该是单根导体模式之间的S参数，而非差共模的S参数，那上面的那段话该如何理解呢？
2.2 不均匀端口计算方法选择
根据《Multipin Port Overview》介绍给出了两种计算不均匀端口的计算方法，如下面的3.1和3.2中采用的两种方法。
文中最后一句“The preceding subsection explains the multipin port feature which provides a good solution in many cases. However, for inhomogeneous waveguides at higher frequencies, this convenient feature cannot be applied. ”更高的频率应该采用3.2的方法，但是 “Higher frequencies”的范围是什么？为什么更高的频率不能采用3.1的方法？
2.3 Port Mode Single-Ended模式计算出来的线阻抗的物理意义是什么？
由于第3节仿真图片较多，故以PDF形式上传，仿真文件也附在后面（CST2011SP7）。
这么好的帖子问什么没人回复？
LZ的single-ended port加完以后是怎么出来差模和共模的？
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。
