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印制板上单线三米法辐射场的精确仿真实践

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按照教材的步骤演练了如题所示的例子,现将一些结果分享给大家。
【仿真模型】
在3000mil(长)×1500mil(宽)的GND平面上方6.2mil高度处,有一2000mil(长)×6mil(宽)的Trace,
考察该Trace处在参考平面GND不同位置时的3m场辐射结果,30M1G频段。
——Trace距离GND边缘3W
——Trace距离GND边缘100W


【材料设置】
GND 平面的设置


(1)走线处在参考平面边缘——距离参考平面边缘3倍线宽


(2)走线处在参考平面中心——距离参考平面边缘100W



 

【仿真结果】
-Trace处在参考平面边缘时的3m场RE结果

 

--Trace处在参考平面中心时的3m场RE结果

【结果对比】
(1)与处在参考平面中心相比,边缘走线在30M1G频段内会有更严重的辐射,差别达10dB
(2)辐射发射峰值频点,在边缘走线时较低,因此风险就越大。


That's all.

 

问下楼主 你这个激励源是什么啊?谢谢!你这是按照哪本教材建的啊?

 

目测激励源应该是离散端口中的S-parameter

 


@hawk8969大师说的没错,就是离散端口的S 参数激励源。
教材是CST官方出版的丛书15,《CST电磁兼容算例汇编》,这个是算例4.
题目是《印制板上单线三米法辐射场的精确仿真》.

 


好,谢谢!

申明网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程

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