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半导体耗尽层的介电模型如何建模?

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模拟下述文献仿真时遇到问题:半导体的耗尽层用什么介电模型来建模?有人说用真空,觉得不对,里面物质结构和真空不同啊。

 

是用什么软件仿真的?

 

用CST仿真,有懂的不? 希望给点建议啊。

 

原始文献里用FDTD仿真,改用CST应该也可以的

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