CST MWS仿真TDR阻抗，验证mesh，为什么不准确？

今天突然想验证一下CST 仿真后，从Results --> template based postprocessing -->1D results -->TDR from time signal看阻抗，这是我唯一知道的在CST里面看阻抗的方法。
首先我打开个CST自带的examples : via ，然后得出这个TDR结果，然后我再加大mesh的密度，把lines per wavelegth 与 lower mesh limits从10改到35 ，mesh line ratio limit保持不变。下图是两个TDR的结果对比：


想必大家看到图后有和我一样的疑问，1.为什么不是重合的？ 2.以后我设置网格究竟多大后才会准确？ 3.CST自带的例子难道是不准确的？

 

via的例子是哪个？我现在找不到哪个example是叫via这个名字了。楼主能贴个截图吗？
至于你的问题，
1. 不重合的原因就是因为网格划分不同。
2. 没有一个确切的数值，既然是个可变量就说明它是因模型而异的，如果有这么个数值还需要再设置吗？
3. CST好像并没有保证他们自带的例子就一定是“准确”的吧？例子不就是给你介绍一下软件怎么使用么？在我看来Example和Benchmark（或者Validation）还是有区别的。
题外：楼主要看什么阻抗？

 

我要看这个孔的impedance
Examples-->MWS-->Transient-->S-parameters-->Microstrip-->Via这是那个例子的路径
1. 此例子的TDR阻抗不重合以我的经验是无法接受的，因为最高处会大到60欧姆，显然孔的阻抗没有这么大
2. 没有确切的数值，那么仿真看阻抗，不同的mesh差别就有30欧姆，无法接受啊
3. CST自带的例子是错误的么？没有经过严格验证，只是做个引导而已？

 


我先确定一下，楼主你说的后处理运算是TDR from Time Signals是吧？因为在我的MWS路径是Time Signals -> TDR from Time Signals。
按照楼主的步骤，先使用默认设置，再把Global Mesh Properties里面的两个参数调整到35，网格区别如下：
Global Mesh 10, 10, 50：


Global Mesh 35, 35, 50：


我的机器上运行的结果如下：
S11：


TDR from Time Signal：


至少我的机器计算出来的TDR和楼主的数值不同，两次的差距也没有那么大。


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把Transient Solver的Accuracy调整为-50 dB，使用Energy Based Adaptive Mesh Refinement，两次后MWS就已经报告达到要求。不过手动让软件继续计算到Pass 5，网格如下：


S11的变化如下：

TDR的变化如下：



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总结：我没有看到楼主所说的“明显而不可接受”的差距。Mesh properties的变化对仿真结果有影响但并不是不可接受的。TDR受网格数量影响的变化不大。


 

对呢，是TDR from Time Signals。我又做了一次，结果如下：
我的阻抗仍是不对，每个pass的结果相差那么大，现在怀疑是不是软件出问题了，我把cst文件也贴上来，请EDATOP帮忙用你的机器运行一下，不要修改任何参数，看看是否是我设置的问题。谢谢。 我的图形每增加一个pass会增加5欧姆的阻抗，汗





 

这个问题真的很是纠结啊，有哪位兄弟在用CST，加我QQ277971459，帮我跑一下看看究竟是不是我软件的问题哦

 

楼主我可以很负责任得告诉你，你的文件我用CST MWS 2010 SP8和CST MWS 2011 SP1得到的是和你一模一样的结果。
目前所知的原因：
如果仿真频率范围是0.1-6 GHz，结果同楼主；
如果仿真频率范围是0-6 GHz，结果同3楼。
目前我不是很清楚TDR同频率范围之间的理论联系，所以暂时不能肯定哪个是正确的。

 

谢谢EDATOP,我现在已经明白不是软件的问题，是模型的问题，我想进一步弄清楚是模型哪里出了问题，你可否把你的example给我，让我运行一下，就是不知道我的2009是否能打开

 

谢谢EDATOP帮忙啊，终于又学得一个经验，如果想看TDR ，那么频率一定要从0开始，否则就会出现我这样的错误，这个经验很有用啊！

 

这个是我个人的习惯，如果条件允许，我会尽量包括0频在内，可以缩短仿真时间。
另外，看TDR必须从0频开始，这个楼主能从理论上跟大家解释一下吗？

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。