- 易迪拓培训,专注于微波、射频、天线设计工程师的培养
CST MWS仿真Si基底在THz波段的透射率
录入：edatop.com 点击：
大家好，小弟是新手，最近想用CST仿真亚波长阵列的太赫兹异常透射，但是刚起步就遇到了麻烦，张敏的用户手册已经看完了，我觉得问题在于材料的设置，对问题的描述如下，请各位大师帮忙看看问题在哪里。
论文里的结构都很简单，基本就是金属薄膜镀在Si基底上，开一些矩形或者圆形的孔阵列，用CST可以轻松画出，但模拟的结果与论文给出的结果有很大出入，对此，我只画了Si基底进行仿真，发现结果仍与实际情况有很大出入。
论文所用基底材料：Si，厚度640μm，P型，电阻率20Ω·cm
我画的结构：材料Silicon（lossy），厚度沿Z轴640μm，长宽均为100μm，P型半导体，这项我不知道在哪里设置，电阻率我换算成电导率是5S/m，在Material Properties里已经做了更改。端口1和端口2分别设置在前表面和后表面5μm之处，单位设置分别为μm、THz、ps，Material type由PEC换为normal，Boundaries设置为Z轴open，X轴Et=0，Y轴Ht=0，瞬态分析得到的S参量如下：
这是什么情况，Si板的透过率应该不是这么振荡的曲线啊。
把我的工程文件也上传，老师们帮忙看看是什么情况，小弟先谢过了
论文里的结构都很简单，基本就是金属薄膜镀在Si基底上，开一些矩形或者圆形的孔阵列，用CST可以轻松画出，但模拟的结果与论文给出的结果有很大出入，对此，我只画了Si基底进行仿真，发现结果仍与实际情况有很大出入。
论文所用基底材料：Si，厚度640μm，P型，电阻率20Ω·cm
我画的结构：材料Silicon（lossy），厚度沿Z轴640μm，长宽均为100μm，P型半导体，这项我不知道在哪里设置，电阻率我换算成电导率是5S/m，在Material Properties里已经做了更改。端口1和端口2分别设置在前表面和后表面5μm之处，单位设置分别为μm、THz、ps，Material type由PEC换为normal，Boundaries设置为Z轴open，X轴Et=0，Y轴Ht=0，瞬态分析得到的S参量如下：
这是什么情况，Si板的透过率应该不是这么振荡的曲线啊。
把我的工程文件也上传，老师们帮忙看看是什么情况，小弟先谢过了
帮你试验了下，如果端口贴紧材料就没事了，空气和介质不匹配肯定会震荡的
多么典型的Fabry–Pérot腔干涉啊。。
哇！太感谢了！我这是思维定势啊，因为同学教我用这软件时一直强调端口要离开表面一点点！
另外请教下，Si的N型和P型这个参数需要设置吗？在哪里设置呢？
我还是基础太差，多谢提醒！
这两种半导体在材料属性上有什么差异呢？
这我也不太清楚，因为论文里的Si基底，有的用N型，有的用P型，于是有此一问。
N型P型只是一个空穴一个电子吧，我也说不清
不管怎样，问题是解决了，N型还是P型貌似也不那么重要，多谢萨菲罗斯老师！
昨晚尝试了表面设置金属结构，190nm的铝膜，但是端口紧贴表面就会导致运算出错，看提示，貌似是网格划分的问题，我再回炉下教程，研究研究网格划分的问题
google Fabry–Perot interferometer，运行下面matlab代码试试。
R=0.5;%反射率，假定
F=4*R./(1-R).^2;%精细因子
n=3.5;%折射率，假定。 %无损耗
Freq=0.3:0.001:3;%频率,THz
delta=2*pi.*Freq/3*2*n*6.4;%位相差
T21=1./(1+F.*sin(delta./2).^2);%透过率
R11=1-T21;%反射率
plot(Freq,T12,Freq,R11)
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。
