CST MWS仿真RFID电子标签天线是否用离散端口

RT，天线的模型是按照一篇论文做的，但仿真出来的结果发现驻波比很大，能量集中在端口处，在天线内部根本没有能量

 

我也是在网上找的一篇论文，用hfss同轴馈电方式计算，也遇到能量只在端口，不清楚什么原因。希望高手解答一下。

 

原因有很多种
但不知道你的问题应该对应哪一种
因为不知道你给的信息量很少，别人怎么回答？
只好作罢

 

注意你的边界条件设置正确没有。
很可能是边界条件设置的问题

 

这样的问题最好把模型附带上来，描述得太粗糙不能判断。

 

现把模型附上

 

我没有运行power的那个monitor，因为我平常不使用这个监视器。不过从表面电流来看金属结构都是连通的。

---

模型：

Global Mesh Properties设置为"17, 17, 50"，取消metal edge refinement factor，运行energy based adaptive mesh refinement，得到的S11：

表面电流分布：

优化结束后的网格视图：

后处理得到的Z参数：

---

不太清楚你的天线的指标是什么，能得到的结论就是天线的匹配不理想。我不知道你所看的论文的数据是什么样的，你并没有告诉大家，所以没有建议。
如果我对Z参数的理解没有错的话，从计算的Z参数来看天线的输入阻抗和端口阻抗差得太远。

---

把离散端口的端口阻抗设置为155.3欧姆，得到的S11：

我只运行了三个Pass，得到的结果都比之前的结果要好，个人认为天线的输入阻抗明显不是50欧姆。

---

看楼主的描述，似乎论文里的天线性能要比楼主的好，那么，现在的问题就是：楼主你如何确定你的模型和“论文的模型”一致？

 

输入阻抗的确应该不是50欧，论文上说设计的是匹配实部在( 35 87)之间, 虚部值在( 158 247)之间的芯片,底面材料是介电常数2.7，那应该怎么设置输入阻抗呢，仿真后Z参数的确是符合论文参数的，但是驻波比并没有符合论文设计的小于2.。

 

我现在要做个双U型天线。要求输入阻抗是50欧。驻波比小于2，所以我就根据这篇论文的模型做的

 

因为测量的时候会用到50欧的同轴线，那么天线的输入阻抗应是50欧才能与之匹配，仿真时要将离散端口设置为50欧，那这个天线的Z参数指的是不是输入阻抗？如果天线的输入阻抗不是纯电阻，如何仿真匹配时的情况？

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。