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CST MWS 激励源的设置
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CST波导端口与离散端口中的S-paramenter端口有什么不同？
波导端口是根据入射波功率和反射波功率来进行求解计算的，对每个波导端口而言，在计算求解过程中，都将记录其S参数（时域信号用于时域仿真）。
Impedance element (S-Parameter type):该端口通过集中元件包括含内阻的激励和吸收功率的电流源来模拟仿真。在瞬态分析中，只有离散单元是激励端口时，电流源才被激活。该端口提供1w的输入功率并可计算基于入射和反射时间信号相应的S参数。
从定义上来看，好像没什么区别啊？
波导端口是根据入射波功率和反射波功率来进行求解计算的，对每个波导端口而言，在计算求解过程中，都将记录其S参数（时域信号用于时域仿真）。
Impedance element (S-Parameter type):该端口通过集中元件包括含内阻的激励和吸收功率的电流源来模拟仿真。在瞬态分析中，只有离散单元是激励端口时，电流源才被激活。该端口提供1w的输入功率并可计算基于入射和反射时间信号相应的S参数。
从定义上来看，好像没什么区别啊？
那你期待它们要有什么区别么？或者楼主更倾向于这两者之间没有区别？
从定义上来看，它们是一样的
但是仿真出的结果不一样啊
只根据那两句话就能得出“一样”的结论？
“波导端口是根据入射波功率和反射波功率来进行求解计算的，对每个波导端口而言，在计算求解过程中，都将记录其S参数（时域信号用于时域仿真）。”，这句话出自哪里？
如果完整得读过《Waveguide Port Overview》和《Discrete Port Overview》而不是仅仅只抠出那两句话，这两种端口有任何可能是“一样”的吗？
或许《Excitation Source Overview》说的会更明确些？
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。
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