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CST MWS中天线使用离散源馈电怎么观察反射系数
1. 如何观察反射损耗?
2.我想看看电场从第一个焦点到达第二个焦点时的群延迟,可能我设置不对,老报错,请问群延时怎么弄?
3.这个是天线上的问题:我使用幅值为1V的高斯脉冲进行馈电,在焦点处得波形幅值小于1,而仿真的增益却比较大,这个为什么? 描述:天线模型
天线模型:
你是如何定义“反射损耗”的?
你是如何设置“群迟延”的?报错的具体信息是什么?
你是如何观察增益的?“增益”和“幅值”的关系是什么?
一点都不懂。
反射损耗就是根据S参数观察的,其他模型中我在两个馈电臂的末端添加了电阻,仿真时就出现了S参数。具体反射损耗应该是指由于阻抗不匹配辐射到反射面上的电场反射回馈源的损耗
群延时 在Macors--Filiter Analysis--group Delay Computation,但是好像只能设置从port1到port1,错误是“Error in macro execution",但是这毕竟不是我要关注的重点,如果我要观察从port1出发到达第二个焦点处的群延时,我要在第二个焦点处也设置port吗?
增益在仿真前Macors--Farfield--Boardband farfield monitors,仿真完了之后在后处理1D Results中计算出来;我对频域和时域比较晕,时域电场波形的幅值比较高能够说明增益很高吗?
感觉你对这三个问题的思路都不够清晰。
反射损耗(Reflection Loss)的定义你表述得并不清楚,我看了还是不知道你的这个定义的细节。电场的什么?功率吗?有没有公式?这个定义和Return Loss(或者S11)有什么区别?
群迟延既可以在Macro里设置,也可以在Template Based Postprocessing里设置,具体参数请参考CST MWS帮助文件《Filter Analysis / Group Delay Computation》和《1D / Group Delay Time》。个人没有计算过,没有更多建议。
关于增益,你都没说清楚是"Gain(IEEE)"还是"Realized Gain"。你的Probe观察的是时域电场X方向的电压,你的Farfield Monitor观察的是天线在某一频率点的“增益”,一个时域、一个频域,天上一脚地下一脚,阴阳两界人鬼殊途。完全木有可比性……
我要观察的就是 Return loss,可以没有S参数,我该怎么计算?
增益的话Gain(IEEE)和RealizedGain有什么区别啊?我算的是Gain(IEEE)
以后描述问题需要注意学术上的严谨性,Return Loss的学术翻译不是“反射损耗”。
你的这两个问题说明你不看帮助文件。使用离散端口计算S参数,必须使用"S-Parameter Type"的离散端口。CST MWS帮助文件《Discrete Port Overview》。按照你的模型的原始设置,计算得到的S11如下:
增益的区别请阅读CST MWS帮助文件《Farfield Overview》。
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。
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