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一个问了很多的关于waveguide port的问题.
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waveguide port激励，波沿Y负方向入射，是不是X方向电壁，Z方向磁壁，就可以认为waveguide port产生的激励是平面波，端口模式是TEM
如果X和Z方向同为电壁，或者同为磁壁，又是什么情况呢
我试了一下，同为电壁时端口模式是TE,同为磁壁时端口模式是TM
那是不是以后要产生TE模，就设成四周电壁；产生TM，就舍成四周磁壁啊
如果X和Z方向同为电壁，或者同为磁壁，又是什么情况呢
我试了一下，同为电壁时端口模式是TE,同为磁壁时端口模式是TM
那是不是以后要产生TE模，就设成四周电壁；产生TM，就舍成四周磁壁啊
激励什么模式的波和你的结构以及求解频率范围相关，每一种模式都有自己的截止频率，TEM波除外
前提是端口的尺寸肯定满足了高于器件工作频率的条件
比如端口模式，是模拟一段矩形波导，只考虑基模，TE和TM的基模分别是TE10和TM11，
TE10的截止频率是最低的，那么只要端口的尺寸足够大，满足TE10的截止频率高于器件工作频率就可以了啊，那这时怎么决定是TE还是TM呢
不懂，看来要好好学习了，嗯，加油！
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。
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