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CST屏蔽效能的计算时场值应该用什么？
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CST MWS计算箱体屏蔽效能的问题|
这是一个老帖，我有一个疑问。在计算屏蔽效能的时候，是用没屏蔽时机箱内一点处的场强减去有屏蔽时同一点处的场强。
而帖子中采用的是在空间中探点得到的场强：
这和老帖中得到的结果一样。但是……
可是如果我用把模型设成不参与仿真计算的模式，其他都不变，然后看箱内同一点的场强：
这两个明显不同，如果带入SE的计算，结果自然也不一样。那么我究竟应该用哪一个是对的呢？
这是一个老帖，我有一个疑问。在计算屏蔽效能的时候，是用没屏蔽时机箱内一点处的场强减去有屏蔽时同一点处的场强。
而帖子中采用的是在空间中探点得到的场强：
这和老帖中得到的结果一样。但是……
可是如果我用把模型设成不参与仿真计算的模式，其他都不变，然后看箱内同一点的场强：
这两个明显不同，如果带入SE的计算，结果自然也不一样。那么我究竟应该用哪一个是对的呢？
而且这两种方式测出的值量值上差了好多，这又是什么原因呢？
第一个仿真中应该有箱体反射的影响，应该以第二个为准，但平面波默认是1V/m,也就是0dB，这个可以不计算直接用
箱体不参与仿真得到的探针结果和0dB比较接近，但还是不一样，可以认为是仿真误差或和网格有关
也就是说我如果要计算箱体的屏蔽效能SE的话，直接用第二个的结果减去我正常带箱体算出来的场强就可以了是吗？
是的，或者干脆取箱体内电场探针的dB值得相反数（-10dB取10dB），就是屏蔽效能了，减都省了
好的，谢谢！
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。
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