周期结构中加入二极管等单向元件

需要建立一个带有二极管的期结构，结构很简单如下图所示：



环外径是15mm，结构为17mm*17mm，环宽1mm；加载二极管处缺口为2.45mm。
应用频域仿真时，2013版会出现集总元件中只有串联和并联的RLC是有效的，不能加载二极管。在时域求解器中可以加二极管，现在的问题是：
1.使用时域求解器时设置成周期边界，会出现一个网格属性设置的问题，将Mesh type由默认改成FPBA错误会消失，仿真得出的结果感觉不太对，不知道是不是还有什么设置需要修改？
2.应该选择什么样的激励？（我要设置的zmax和zmin端口极化不同，成45度夹角。）
3.环上的表面电流是不是还需要重新设置平面波激励才能看？

看懂这篇 Application note 你就会理解，而且是真正的理解。

拥有资料不稀奇，能吸收才是重点!

不知道楼主说的是不是这个

资料没看明白啊！

foxman:看懂这篇 Application note 你就会理解，而且是真正的理解。
有源结构

Faraday Rotation by Arti?cial Electric Gyrotropy.pdf
（文献比较长，大家看模型和场分布就好了）
问题有两个：
1）是文献1中如何用CST仿真带有FET的隔离器和环形器，特别是图14，是不是需要用设计实验室和微波实验室联合仿真；
2）文献2中的有源结构能不能用CST仿真一个无限大的模型，该怎么做呢？

这个我试过了，在unit cell+f中不能加入二极管，非常感谢帮忙

资料是两种仿真周期结构的方法，波导法和floquet端口法，论坛上也有相关的贴子可以去学习一下哈。感谢交流

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。