CST如何外加电压？

我没做过，但你可以试一试。

这种电压型离散端口能直接得到S参数吗？得用Design Studio吧？

可以，但是...得用（偷鸡模式）。
得利用另两个端口（离散或是波导-需要和实际电路一般使用："直流隔离电容"），因为楼主只是想知道那两层被施加电压后，信道 In/out 之间的sparameter变化！
而你所说的这种我昨天已经告诉他了！不知他为何又再提？看他这么坚持....所以我就给了他另一个途径。呵呵～～
我昨天给它的是sparameter -> narrow band spice model (circuits synthesize) -> schematic simulation add Voltage -> sparameter。（这个作法跟ADS比较搭）
** 可能是因为我给的不是（直接解答），但是...我一般也是不会这么做的，我导引提问者自己去"动手做、动脑想"，这才是我想要的。
不然，最终极的手法就是：能取得SiO2 Vs Voltage's 的参数组，以变数模式代入SiO2 layer。这样也成，不是条条大路通罗马吗？

谢谢给了这么多方法，我之前用过离散端口（discrete port）施加电压，出错了，我再看看你说的（discrete edge port），简直不能再感谢！

我试过Design Studio，可是没弄出来，继续琢磨中。
还是感谢大神的关注！

刚看了，discrete port打开之后就是discrete edge port
然后出错了。

Graphene-supported tunable near-IR metamaterials.pdf

这是参考文献，大家需要的可以看一下。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。