用CST仿真周期性超材料结构的时候，如何改变极化角？

请教，用CST仿真周期性超材料结构的时候，如何改变极化角？
1） 时域仿真，设置电边界和磁边界，画出多个单元结构，如5x5, 旋转样品或是在波导端口里面设置极化角，结果总是有问题；
2）频域有unit cell边界条件仿真，可以改变极化角，但是无法滤波，振荡太多。

你要怎么滤波？

例如，以25um厚的polyimide为衬底，上面刻周期性超材料结构，可以用频域仿真设成unit cell 边界条件，得到S参数；如果以500um厚的高阻硅为衬底刻周期性超材料结构，用频域仿真设成unit cell 边界，得出的S参数会振荡太多，这是由硅衬底引起的的法布里帕罗振荡。用时域仿真可以滤除掉后面的振荡信号，但是没法改变极化角。
我想得到的是以硅为衬底的超材料，改变极化角得到不同的S参数。

例如，以25um厚的polyimide为衬底，上面刻周期性超材料结构，可以用频域仿真设成unit cell 边界条件，得到S参数；如果以500um厚的高阻硅为衬底刻周期性超材料结构，用频域仿真设成unit cell 边界，得出的S参数会振荡太多，这是由硅衬底引起的的法布里帕罗振荡。用时域仿真可以滤除掉后面的振荡信号，但是没法改变极化角。
我想得到的是以硅为衬底的超材料，改变极化角得到不同的S参数。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习易迪拓培训专家讲授的CST视频培训教程。